1965年，华夏研制成功第一个硅基集成电路样品gt31，这块芯片上集成了7个晶体管、1个二极管、7个电阻、6个电容，相比米国晚7年。

1966年，109厂与魔都光学仪器厂协作，研制成功第一台65型接触式光刻机，这与米国的gca公司几乎同时。

也在这一年，ibm公司托马斯·沃森研究中心的研究人员，时年34岁的罗伯特·登纳德博士提出了用金属氧化物半导体（mos）晶体管，来制作存储器芯片的设想，同年研发成功1t/1c结构（一个晶体管加一个电容）的dram，并在1968年获得专利。1968年仙童半导体推出首个256bitdram；1969年先进内存系统公司正式推出全球首款1kdram。

还是在这一年，华夏科学院半导体研究所制作出第一支硅mos场效应晶体管；在江南省，南通晶体管厂成立，并在经过50多年的发展后，成长为国际半导体芯片行业封测巨头之一，也就是后来的通富微电，上市后股票代码002156。

1968年，从仙童出走的“三巨头”创立了英特尔公司，如果没有谭振华的乱入，它将成长为全球最大的，同时具备设计和生产半导体芯片能力的科技巨擘；而在华夏的这一年，魔都无线电十四厂研制成功首个pmos电路（mosic），拉开了华夏发展mos电路的序幕，还是在这一年，华夏永川半导体研究所正式成立，这是华夏唯一的模拟集成电路研究所，后来，这家研究所发展成为电子部4024研究

所。

1969年，华夏国营永红器材厂（749厂）成立，1995年整体调迁至天水，多年后，它将成长为另一家国际封测巨头，也就是华天科技，上市后股票代码002185。

1970年，英特尔公司推出首款可大规模生产的1kdram芯片c1103，使得1bit只要1美分，从此开创了dram时代。也是在这一年，华夏集成电路产业年产量首次超过100万块，这比米国进入这一个数字仅仅晚了6年。

1972年，江阴晶体管厂成立，这家企业今后也将成长为芯片封测行业的国际巨头，也就是长电科技，上市后股票代码600584。

如果按照谭振华重生那年的市占率来算，长电科技、华天科技、通富微电三家相加，已经占据了全球芯片封测市场接近20%的份额，其中市占率最高的长电科技排名全球第三，市占率11.8%，可见华夏在芯片领域，至少在这一块业务上并不落后。

1974年，华夏为发展大规模集成电路（lsi），在京城召开了第一次全国性会议，研讨发展思路；也是在这一年，南高丽三星电子正式进军半导体行业。

由此可见，至少到这个时间点之前，华夏的半导体水平，比之南高丽要遥遥领先。

1975年，华夏完成了硅栅nmos、硅栅pmos、铝栅nmos三种技术方案，109厂随即采用硅栅nmos技术，试制成功第一块1kdram，相比米

国英特尔研制的c1103要晚五年。

同年，华夏湾岛“工研院”向米国购买了第一条3英寸晶圆生产线并于1977年建成投产。

1976年11月，华夏科学院计算技术研究所研制成功1000万次大型电子计算机，所使用的电路为109厂研制的ecl型（emittercoupledlogic，发射极耦合逻辑）电路。

同年，倭国由通产省牵头，联合五大骨干公司组建“vlsi联合研发体”，投资720亿日元攻坚超大规模集成电路dram的技术难关。

由此可见，至少到这一年为止，华夏的技术水平与倭国也不相上下，更领先于湾岛。

在这一年，华夏国产的集成电路芯片年度出货量超过了1千万片，比米国达到这一数字晚了十年。

1978年，华夏科学院半导体研究所成功研制4kdram，1979年9月28日在109厂成功流片量产，平均良品率为28%，同年南高丽电子技术研究所kiet从米国购买了一条3英寸晶圆生产线，次年投产。

同年，米国gca开发出第一台分布重复投影曝光机，使得米国的集成电路图形线宽从1.5μm缩小到0.5μm。

1979年8月，华夏第一支ccd器件在4013所研制成功。

对的，同学，你没有看错，华夏人在70年代的末期就自研出了ccd器件。

谭二公子难道不知道么？当然不是，以他前世对4013所的熟悉程度，他当然知道这一切——但是，他制造他的数码相机时却无法采用4013所的器件，还必须花大价钱从贝尔实验室购买ccd的专利使用许可，至于为什么？

因为这是在民用半导体领域，彼此必须遵守这个游戏规则。